Характеристики
| Основные |
| Объём |
4 ГБ |
| Напряжение питания |
1.35 В |
| Тайминги |
11-11-11 |
| CAS Latency |
11T |
| PC-индекс |
PC3-12800 |
| Частота |
1600 МГц |
| ECC |
➖ |
| Тип |
DDR3 SO-DIMM |
| Набор |
1 модуль |
| Технические характеристики |
| Расположение чипов |
одностороннее |
| Количество ранков |
1 |
| Число микросхем |
8 |
| Ёмкость микросхем |
4 Гбит |
| Тип микросхем |
512Mx8 |
| Профили XMP |
➖ |
| Профили AMP |
➖ |
| Тип |
DDR3 SO-DIMM |
| Конструкция |
| Охлаждение |
➖ |
| Низкопрофильный модуль |
➖ |
Внимание! Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительных уведомлений.
Проверяйте заявленные характеристики на официальных сайтах производителей.
