Характеристики
| Общая информация |
| Дата выхода на рынок |
2018 г. |
| Основные |
| Объем |
500 ГБ |
| Форм-фактор |
M.2 |
| Интерфейс |
PCI Express 3.0 x4 |
| Тип микросхем Flash |
3D TLC NAND |
| Контроллер |
Samsung Phoenix |
| Размеры устройств M.2 |
2280 |
| Ресурс записи |
300 TBW |
| Технические характеристики |
| Кэш |
✔ DRAM-буфер |
| Объем DRAM-буфера |
512 Мб |
| Аппаратное шифрование |
✔ AES 256bit |
| Скорость последовательного чтения |
3 400 МБайт/с |
| Скорость последовательной записи |
2 300 МБайт/с |
| Средняя скорость случайного чтения |
370 000 IOps |
| Средняя скорость случайной записи |
450 000 IOps |
| Энергопотребление (чтение/запись) |
5.8 Вт |
| Энергопотребление (ожидание) |
0.03 Вт |
| Время наработки на отказ (МТBF) |
1 500 000 ч |
| Охлаждение |
✖ |
Внимание! Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительных уведомлений.
Проверяйте заявленные характеристики на официальных сайтах производителей.
