Характеристики
Тип памяти: DDR3L |
|
Объеми: 8 ГБ |
|
Количество модулей в комплекте: 1 шт |
|
Частота: 1600 МГц |
|
Пропускная способность: PC12800 |
|
CAS Latency (CL): 11 |
|
RAS to CAS Delay (tRCD): 11 |
|
Row Precharge Delay (tRP): 11 |
|
Activate to Precharge Delay (tRAS): 30 |
|
Количество чипов модуля: 16 |
|
Двухсторонняя установка чипов |
|
Напряжение питания: 1.35 В |
|
Комплектация |
Модуль памяти Qumo DDR3 SO-DIMM 1600MHz PC-12800 CL11 - 8Gb QUM3S-8G1600C11L. |
|
Внимание! Внешний вид товара, комплектация и характеристики могут изменяться производителем без предварительных уведомлений.
Проверяйте заявленные характеристики на официальных сайтах производителей.